|
NTE51 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Voltage / High Speed». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE51 | NTE |
Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch NTE51 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
Description: The NTE51 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high–voltage, high– speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for 115V and 220V SWITCHMODE applications such as switching regulators, Inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits. Features: D Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = +100°C D 700V Blocking Capability Absolute |
|
NTE5105A | NTE |
Zener Diode / 1 Watt 5% Tolerance NTE5061A thru NTE5105A (Includes NTE134A thru NTE151A) Zener Diode, 1 Watt ±5% Tolerance
Features: D Zener Voltage 110V to 200V D Low Cost D Low Zener Impedance D Excellent Clamping D Easily Cleaned with Freon, Alcohol, Chlorothene, and Similar Solvents Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TC = +25°C, unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load, for capacitive load, derate current by 20%) Maximum Dynamic Zener Impedance Test Nominal Zener Voltage Current Zzt @ Izt |
|
NTE5111A | NTE |
Zener Diode NTE5111A thru NTE5166A Zener Diode, 5 Watt ±5% Tolerance
Features: D Zener Voltage: 3.3V to 200V D High Surge Current Capability Absolute Maximum Ratings: DC Power Dissipation (TL = +75°C, Lead Length = 3/8”), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W Derate Above 75°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mW/°C Forward Voltage (IF = 1A), VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
|
NTE5112A | NTE |
Zener Diode NTE5111A thru NTE5166A Zener Diode, 5 Watt ±5% Tolerance
Features: D Zener Voltage: 3.3V to 200V D High Surge Current Capability
Absolute Maximum Ratings:
DC Power Dissipation (TL = +75°C, Lead Length = 3/8”), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W Derate Above 75°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mW/°C
Forward Voltage (IF = 1A), VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
|
NTE5113A | NTE |
Zener Diode |
|
NTE5114A | NTE |
Zener Diode |
|
NTE5115A | NTE |
Zener Diode |
|
NTE5116A | NTE |
Zener Diode |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |