|
NTMFS4C13N даташитФункция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTMFS4C13N | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTMFS4C13N Power MOSFET
Features
30 V, 38 A, Single N−Channel, SO−8 FL
• • • •
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
http://onsemi.com
V(BR)DSS 30 V RDS(ON) MAX 9.1 mW @ 10 V 13.8 mW @ 4.5 V D (5−8) ID MAX 38 A
Applications
• CPU Power Delivery • DC−DC Converters
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated)
Parameter Dra |
|
NTMFS4C13NT1G | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
NTMFS4C13NT3G | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |