DataSheet26.com


NTMFS4C13NT3G даташит

Функция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTMFS4C13NT3G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Power MOSFET ( Transistor )

NTMFS4C13N Power MOSFET Features 30 V, 38 A, Single N−Channel, SO−8 FL • • • • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant http://onsemi.com V(BR)DSS 30 V RDS(ON) MAX 9.1 mW @ 10 V 13.8 mW @ 4.5 V D (5−8) ID MAX 38 A Applications • CPU Power Delivery • DC−DC Converters MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated) Parameter Dra
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4C13NT3G", "NTMFS4C13N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N4133 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

pdf
1N4133 Jinan Gude Electronic Device
Jinan Gude Electronic Device

500mW LOW NOISE SILION ZENER DIODES

pdf
1N4133 Compensated Deuices Incorporated
Compensated Deuices Incorporated

LOW CURRENT OPERATION AT 250 uA

• 1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435 • LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A • LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 1N4099 thru 1N4135 and 1N4099-1 thru 1N4135-1 MAXIMUM RATINGS Junctio
pdf
1N4133 Digitron Semiconductors
Digitron Semiconductors

500mW LOW NOISE ZENER DIODES

1N4099-1N4135, 1N4614-1N4627 High-reliability discrete products and engineering services since 1977 500mW LOW NOISE ZENER DIODES FEATURES  Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  Availabl
pdf
1N4133 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 87V 5% 250mW 2-Pin DO-35 Tape and Box

pdf
1N4133-1 Compensated Deuices Incorporated
Compensated Deuices Incorporated

LOW CURRENT OPERATION AT 250 uA

• 1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435 • LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A • LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 1N4099 thru 1N4135 and 1N4099-1 thru 1N4135-1 MAXIMUM RATINGS Junctio
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты