|
NTMFS4H013NF даташитФункция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTMFS4H013NF | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTMFS4H013NF
Power MOSFET
25 V, 269 A, Single N−Channel, SO−8FL
Features
• Integrated Schottky Diode • Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses • Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances • Optimized material for improved thermal performance • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant Applications
• High Performance DC-DC Converters • System Voltage Rails • Netcom, Telecom • Servers & Point of Load
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless ot |
Это результат поиска, начинающийся с "4H013NF", "NTMFS4H01" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N4013 | ASI |
Silicon NPN Transistor
2N4013
SILICON NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI 2N4013 is Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications.
PACKAGE STYLE TO-18
MAXIMUM RATINGS
IC VCEO VCBO VEBO PDISS TJ TSTG θJC 1.0 A 30 V 50 V 6.0 V 1.4 W @ TC = 25 °C -65 °C to +2 |
|
2N4013 | Motorola Semiconductor |
(2N4013 / 2N4014) Transistors |
|
2N4013 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3-Pin TO-18 Box |
|
2SK4013 | Toshiba Semiconductor |
Switching Regulator Applications
2SK4013
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅣ)
2SK4013
Switching Regulator Applications
• • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.) Low lea |
|
3DD4013A1D | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4013 A1D
○R
产品概述
3DD4013 A1D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,提高了产品的击穿电 压、开关速度和可靠性。
产品特� |
|
3DD4013A6D | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4013 A6D
○R
产品概述
3DD4013 A6D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,集成了有源抗饱和网 络,提高了产品的击穿电 压、开关 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |