|
NTMSD2P102LR2 даташитФункция этой детали – «Power Mosfet And Shottky Diode Dual So-8 Package». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor |
Power MOSFET and Shottky Diode Dual SO-8 Package NTMSD2P102LR2 FETKY™
Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO−8 Package
• High Efficiency Components in a Single SO−8 Package • High Density Power MOSFET with Low RDS(on), • • • •
Schottky Diode with Low VF Logic Level Gate Drive Independent Pin−Outs for MOSFET and Schottky Die Allowing for Flexibility in Application Use Less Component Placement for Board Space Savings SO−8 Surface Mount Package, Mounting Information for SO−8 Package Provided
Features http://onsemi.com
MOSFET −2.3 AMPERES −20 |
Это результат поиска, начинающийся с "2P102LR2", "NTMSD2P102" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
R6021022 | Powerex Power Semiconductors |
Fast Recovery Rectifier (220Amperes Average 1600 Volts) |
|
VG121022R440 | AVX |
Glass Encapsulated TransGuard Glass Encapsulated TransGuard®
GENERAL DESCRIPTION
The Glass Encapsulated TransGuard® multilayer varistors are zinc oxide (ZnO) based ceramic semiconductor devices with non-linear, bi-directional V-I characteristics. They have the advantage of offering bi-directional overvoltag |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |