|
NTSAF5100 даташитФункция этой детали – «Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTSAF5100 | ON Semiconductor |
Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier NTSS5100, NTSAF5100
Low Forward Voltage, Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • High Surge Capability • These are Pb−Free and Halide−Free Devices
Typical Applications
• Switching Power Supplies including Wireless, Smartphone and
N |
Это результат поиска, начинающийся с "5100", "NTSAF5" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5100 | Digitron Semiconductors |
3 WATT ZENER DIODES 1N5096-1N5117 MZ211-MZ240
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
3 WATT ZENER DIODES
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-RoH |
|
1N5100 | SUSSEX |
ZENER DIE TM
SUSSEX
.5 TO 10 WATT UNIPOLAR ZENER FLIP-DIE
12251 TOWNE LAKE DRIVE, FORT MYERS, FLORIDA, 33913 TEL: (941) 768-6800 FAX: (941) 768-6868
SEMICONDUCTOR, INC.
GLASS PASSIVATED SURFACE MOUNT UNIPOLAR FLIP-DIE ZENER VOLTAGE- 6.8 TO 200 VOLTS .5 TO 10 WATT MAXIMUM POWER D |
|
1N5100 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 160V 5% 3W 2-Pin Case A |
|
1SCA022807R5100 | ABB |
neutral and earth terminals |
|
2N5100 | Semiconductor Technology |
(2N5xxx) High Voltage Silicon Low and Medium Power Transistors ( DataSheet : )
|
|
2SB035100ML | Silan Microelectronics |
2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML
2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |