DataSheet26.com


NTSAF5100 даташит

Функция этой детали – «Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTSAF5100 ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier

NTSS5100, NTSAF5100 Low Forward Voltage, Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • High Surge Capability • These are Pb−Free and Halide−Free Devices Typical Applications • Switching Power Supplies including Wireless, Smartphone and N
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5100", "NTSAF5"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5100 Digitron Semiconductors
Digitron Semiconductors

3 WATT ZENER DIODES

1N5096-1N5117 MZ211-MZ240 High-reliability discrete products and engineering services since 1977 3 WATT ZENER DIODES FEATURES  Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  Available as non-RoH
pdf
1N5100 SUSSEX
SUSSEX

ZENER DIE

TM SUSSEX .5 TO 10 WATT UNIPOLAR ZENER FLIP-DIE 12251 TOWNE LAKE DRIVE, FORT MYERS, FLORIDA, 33913 • TEL: (941) 768-6800 • FAX: (941) 768-6868 SEMICONDUCTOR, INC. GLASS PASSIVATED SURFACE MOUNT UNIPOLAR FLIP-DIE ZENER VOLTAGE- 6.8 TO 200 VOLTS .5 TO 10 WATT MAXIMUM POWER D
pdf
1N5100 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 160V 5% 3W 2-Pin Case A

pdf
1SCA022807R5100 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
2N5100 Semiconductor Technology
Semiconductor Technology

(2N5xxx) High Voltage Silicon Low and Medium Power Transistors

( DataSheet : )
pdf
2SB035100ML Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты