|
NTSB20120CTG даташитФункция этой детали – «Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTSB20120CTG | ON Semiconductor |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Features http://onsemi.com
VERY LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES, 120 VOLTS
PIN CONNECTIONS
1 2, 4 3 4
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low • • • • • •
Forward Voltage and Low Leakage Fast Switching with Exceptional Temperature Stability Low Power Loss and Lower Operat |
Это результат поиска, начинающийся с "20120CTG", "NTSB20120" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTSJ20120CTG | ON Semiconductor |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Features http://onsemi.com
VERY LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES, 120 |
|
NTST20120CTG | ON Semiconductor |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier NTST20120CTG, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leaka |
|
C2D20120 | CREE |
Silicon Carbide Schottky Diode
C2D20120–Silicon Carbide Schottky Diode
Zero Recovery® Rectifier
Features
• • • • • • •
VRRM = 1200 V IF = 20 A
Qc =122 nC
Package
1200-Volt Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Zero Forward Recovery High-Frequency Operation Tempe |
|
C2D20120D | Cree |
Silicon Carbide Schottky Diode C2D20120D
Silicon Carbide Schottky Diode
VRRM =
1200 V
Zero R
Features
ecovery®
Rectifier
Package
IF (TC=135˚C) = 29 A** Qc = 122 nC**
• • • • • • •
1.2kV Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Zero Forward Recovery High-Frequency Op |
|
C4D20120A | Cree |
Silicon Carbide Schottky Diode C4D20120A–Silicon Carbide Schottky Diode
Z-Rec™ Rectifier
Features
VRRM = 1200 V IF = 20 A
Qc =130 nC
Package
• • • • •
1.2kV Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Current High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Extremely Fast Swt |
|
C4D20120D | Cree |
Silicon Carbide Schottky Diode C4D20120D
Silicon Carbide Schottky Diode
VRRM = IF;
TC<135˚C
1200 V = 32 A 132 nC
Z-Rec™ Rectifier
Features
Qc =
• • • • •
1.2-KVolt Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Current High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Behavi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |