DataSheet26.com


NTSB20120CTG даташит

Функция этой детали – «Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTSB20120CTG ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier

NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Features http://onsemi.com VERY LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES, 120 VOLTS PIN CONNECTIONS 1 2, 4 3 4 • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low • • • • • • Forward Voltage and Low Leakage Fast Switching with Exceptional Temperature Stability Low Power Loss and Lower Operat
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "20120CTG", "NTSB20120"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTSJ20120CTG ON Semiconductor
ON Semiconductor

Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier

NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Features http://onsemi.com VERY LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES, 120
pdf
NTST20120CTG ON Semiconductor
ON Semiconductor

Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier

NTST20120CTG, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leaka
pdf
C2D20120 CREE
CREE

Silicon Carbide Schottky Diode

C2D20120–Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery® Rectifier Features • • • • • • • VRRM = 1200 V IF = 20 A Qc =122 nC Package 1200-Volt Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Zero Forward Recovery High-Frequency Operation Tempe
pdf
C2D20120D Cree
Cree

Silicon Carbide Schottky Diode

C2D20120D Silicon Carbide Schottky Diode VRRM = 1200 V Zero R Features ecovery® Rectifier Package IF (TC=135˚C) = 29 A** Qc = 122 nC** • • • • • • • 1.2kV Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Zero Forward Recovery High-Frequency Op
pdf
C4D20120A Cree
Cree

Silicon Carbide Schottky Diode

C4D20120A–Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec™ Rectifier Features VRRM = 1200 V IF = 20 A Qc =130 nC Package • • • • • 1.2kV Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Current High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Extremely Fast Swt
pdf
C4D20120D Cree
Cree

Silicon Carbide Schottky Diode

C4D20120D Silicon Carbide Schottky Diode VRRM = IF; TC<135˚C 1200 V = 32 A 132 nC Z-Rec™ Rectifier Features Qc = • • • • • 1.2-KVolt Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Current High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Behavi
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты