DataSheet26.com


NUP2114 даташит

Функция этой детали – «Tvs Diode ( Rectifier )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NUP2114 ON Semiconductor
ON Semiconductor
  TVS Diode ( Rectifier )

NUP2114 Series, SNUP2114UCMR6T1G Transient Voltage Suppressors Low Capacitance ESD Protection for High Speed Data The NUP2114 transient voltage suppressor is designed to protect high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and high level of ESD protection makes this device well suited for use in USB 2.0 applications. Features http://onsemi.com SOT−553 CASE 463B VP TSOP−6 CASE 318G  Low Capacitance 0.8 pF  S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique       
pdf
NUP2114UCMR6 ON Semiconductor
ON Semiconductor
  TVS Diode ( Rectifier )

NUP2114UCMR6 Transient Voltage Suppressors Low Capacitance ESD Protection for High Speed Data The NUP2114UCMR6 transient voltage suppressor is designed to protect high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and high level of ESD protection makes this device well suited for use in USB 2.0 high speed applications. Features http://onsemi.com I/O VP • • • • • • • • • • • • Low Capacitance 0.8 pF Low Clamping Voltage Stand Off Voltage: 5 V Low Leakage ESD Rating of Class 3B (Exceeding 8
pdf
NUP2114UPXV5 ON Semiconductor
ON Semiconductor
  TVS Diode ( Rectifier )

NUP2114UPXV5 Transient Voltage Suppressors Low Capacitance ESD Protection for High Speed Data The NUP2114UPXV5 transient voltage suppressor is designed to protect high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and high level of ESD protection makes this device well suited for use in USB 2.0 applications. Features http://onsemi.com I/O VP • • • • • • • • • • • • • Low Capacitance 0.8 pF Stand Off Voltage: 5 V Low Leakage Protection for the Following IEC Standards: IEC 61000−4−2 Le
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты