DataSheet26.com


NUS5531MT даташит

Функция этой детали – «Main Switch Power Mosfet And Single Charging Bjt».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NUS5531MT ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT

NUS5531MT Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT −12 V, −6.2 A, Single P−Channel FET with Single PNP low Vce(sat) Transistor, 3x3 mm WDFN Package This device integrates one high performance power MOSFET and one low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and optimizing charging performance in battery−powered portable electronics. Features V(BR)DSS −12 V http://onsemi.com MOSFET RDS(on) TYP 32 mW @ −4.5 V 44 mW @ −2.5 V ID MAX −6.2 A Low Vce(sat) PNP (Wall/USB) VCEO MAX −20 V
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5531MT", "NUS553"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5531 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-35

pdf
1N5531 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-7

pdf
1N5531 Jinan Gude Electronic Device
Jinan Gude Electronic Device

0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES

pdf
1N5531 Knox Semiconductor  Inc
Knox Semiconductor Inc

LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES HIGH PERFORMANCE: LOW NOISE/ LOW LEAKAGE

LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES HIGH PERFORMANCE: LOW NOISE, LOW LEAKAGE 1N5518 - 1N5546 NOMINAL TEST MAX ZENER MAX REVERSE LEAKAGE MAX NOISE MAX REGULATION MAX . PART ZENER CURRENT IMPEDANCE CURRENT DENSITY AT FACTOR REGULATOR NUMBER VOLTAGE (NOTE 2) (NOTE 3) (NOTE 4) CURRENT
pdf
1N5531 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 11V 20% 400mW 2-Pin DO-35

pdf
1N5531A New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

(1N5518A - 1N5546A) ZENER DIODES

Datasheet.es Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты