|
NUS5531MT даташитФункция этой детали – «Main Switch Power Mosfet And Single Charging Bjt». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NUS5531MT | ON Semiconductor |
Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT NUS5531MT Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
−12 V, −6.2 A, Single P−Channel FET with Single PNP low Vce(sat) Transistor, 3x3 mm WDFN Package
This device integrates one high performance power MOSFET and one low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and optimizing charging performance in battery−powered portable electronics.
Features
V(BR)DSS −12 V
http://onsemi.com MOSFET
RDS(on) TYP 32 mW @ −4.5 V 44 mW @ −2.5 V ID MAX −6.2 A
Low Vce(sat) PNP (Wall/USB)
VCEO MAX −20 V |
Это результат поиска, начинающийся с "5531MT", "NUS553" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5531 | Microsemi Corporation |
LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-35 |
|
1N5531 | Microsemi Corporation |
LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-7 |
|
1N5531 | Jinan Gude Electronic Device |
0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES |
|
1N5531 | Knox Semiconductor Inc |
LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES HIGH PERFORMANCE: LOW NOISE/ LOW LEAKAGE LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES HIGH PERFORMANCE: LOW NOISE, LOW LEAKAGE 1N5518 - 1N5546
NOMINAL TEST MAX ZENER MAX REVERSE LEAKAGE MAX NOISE MAX REGULATION MAX . PART ZENER CURRENT IMPEDANCE CURRENT DENSITY AT FACTOR REGULATOR NUMBER VOLTAGE (NOTE 2) (NOTE 3) (NOTE 4) CURRENT |
|
1N5531 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 11V 20% 400mW 2-Pin DO-35 |
|
1N5531A | New Jersey Semi-Conductor |
(1N5518A - 1N5546A) ZENER DIODES Datasheet.es
Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |