|
NVTJD4001N даташитФункция этой детали – «Small Signal Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NVTJD4001N | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTJD4001N, NVTJD4001N
Small Signal MOSFET
30 V, 250 mA, Dual N−Channel, SC−88
Features
• Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • AEC Q101 Qualified − NVTJD4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Applications
• Low Side Load Switch • Li−Ion Battery Supplied Devices − Cell Phones, PDAs, DSC • Buck Converters • Level Shifts
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol Value Units
Dr |
Это результат поиска, начинающийся с "4001N", "NVTJD40" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
LNTA4001NT1G | LRC |
Small Signal MOSFET LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Small Signal MOSFET
20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection
Features
•ăLow Gate Charge for Fast Switching •ăSmall 1.6 x 1.6 mm Footprint •ăESD Protected Gate •ăPb-Free Package is Available
• ESDD PPrrootteecctteedd:2:105000V |
|
NTA4001N | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTA4001N Small Signal MOSFET
20 V, 238 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75
Features
• • • •
http://onsemi.com
V(BR)DSS 20 V RDS(on) Typ @ VGS 1.5 W @ 4.5 V 2.2 W @ 2.5 V 3 ID MAX (Note 1) 238 mA
Low Gate Charge for Fast Switching |
|
NTJD4001N | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTJD4001N, NVTJD4001N
Small Signal MOSFET
30 V, 250 mA, Dual N−Channel, SC−88
Features
• Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • AEC Q101 Qualified − NVTJD4001N • These Devices are Pb−Free and ar |
|
NTS4001N | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTS4001N Small Signal MOSFET
30 V, 270 mA, Single N−Channel, SC−70
Features
• • • • • • • •
Low Gate Charge for Fast Switching Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 ESD Protected Gate Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix)
http://onsem |
|
NTS4001NT1 | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTS4001N Small Signal MOSFET
30 V, 270 mA, Single N−Channel, SC−70
Features
• • • • • • • •
Low Gate Charge for Fast Switching Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 ESD Protected Gate Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix)
http://onsem |
|
NTS4001NT1G | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTS4001N Small Signal MOSFET
30 V, 270 mA, Single N−Channel, SC−70
Features
• • • • • • • •
Low Gate Charge for Fast Switching Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 ESD Protected Gate Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix)
http://onsem |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |