|
NX7002BKM даташитФункция этой детали – «N-channel Trench Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NX7002BKM | NXP Semiconductors |
N-channel Trench MOSFET SOT883
NX7002BKM
60 V, N-channel Trench MOSFET
3 December 2014
Product data sheet
1. General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
3. Applications
• Relay driver • High-speed line driver • Low-side loa |
|
NX7002BKMB | NXP Semiconductors |
N-channel Trench MOSFET SOT883B
NX7002BKMB
60 V, N-channel Trench MOSFET
3 December 2014
Product data sheet
1. General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
3. Applications
• Relay driver • High-speed line driver • Low-side |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |