|
NX7528BF-AA даташитФункция этой детали – «Laser Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NX7528BF-AA | CEL |
LASER DIODE NEC's 1550 nm InGaAsP MQW FP PULSED LASER DIODE NX7528BF-AA IN COAXIAL PACKAGE FOR OTDR APPLICATION (60 mW MIN)
FEATURES
• HIGH OUTPUT POWER: Pf = 80 mW at IFP = 400 mA Pulse Conditions: Pulse width (PW) = 10ms, Duty = 1% • LONG WAVELENGTH: λC = 1550 nm
DESCRIPTION
NEC's NX7528BF-AA is a 1550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode coaxial module with single mode fiber. This module is specified to operate under pulsed condition and is designed for light sources of Optical Time Domain |
Это результат поиска, начинающийся с "7528BF", "NX7528BF" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
7528AC | NEC |
UPD7528A |
|
AD7528 | Analog Devices |
CMOS Dual 8-Bit Buffered Multiplying DAC a
FEATURES On-Chip Latches for Both DACs +5 V to +15 V Operation DACs Matched to 1% Four Quadrant Multiplication TTL/CMOS Compatible Latch Free (Protection Schottkys not Required) APPLICATIONS Digital Control of: Gain/Attenuation Filter Parameters Stereo Audio Circuits X-Y Graphi |
|
AON7528 | Freescale |
30V N-Channel AlphaMOS AON7528
30V N-Channel AlphaMOS
General Description
• Latest Trench Power AlphaMOS ( αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5V GS • Low Gate Charge • ESD protection • RoHS and Halogen-Free Compliant
Features
VDS ID (at VGS=10V) RDS(ON) (at VGS=10V) RDS(ON) (at VGS |
|
AON7528 | Alpha & Omega Semiconductors |
30V N-Channel AlphaMOS AON7528
30V N-Channel AlphaMOS
General Description
• Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • ESD protection • RoHS and Halogen-Free Compliant
Product Summary
V DS ID (at VGS=10V)
30V 50A < 2mΩ < 3.4mΩ
HB |
|
BUK7528-100A | NXP Semiconductors |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO -22 0A B
BUK7528-100A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 2 — 26 April 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This p |
|
BUK7528-55 | NXP Semiconductors |
TrenchMOS transistor Standard level FET Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS™ transistor Standard level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resista |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |