DataSheet26.com


NX7528BF-AA даташит

Функция этой детали – «Laser Diode».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NX7528BF-AA CEL
CEL
  LASER DIODE

NEC's 1550 nm InGaAsP MQW FP PULSED LASER DIODE NX7528BF-AA IN COAXIAL PACKAGE FOR OTDR APPLICATION (60 mW MIN) FEATURES • HIGH OUTPUT POWER: Pf = 80 mW at IFP = 400 mA Pulse Conditions: Pulse width (PW) = 10ms, Duty = 1% • LONG WAVELENGTH: λC = 1550 nm DESCRIPTION NEC's NX7528BF-AA is a 1550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode coaxial module with single mode fiber. This module is specified to operate under pulsed condition and is designed for light sources of Optical Time Domain
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7528BF", "NX7528BF"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
7528AC NEC
NEC

UPD7528A

pdf
AD7528 Analog Devices
Analog Devices

CMOS Dual 8-Bit Buffered Multiplying DAC

a FEATURES On-Chip Latches for Both DACs +5 V to +15 V Operation DACs Matched to 1% Four Quadrant Multiplication TTL/CMOS Compatible Latch Free (Protection Schottkys not Required) APPLICATIONS Digital Control of: Gain/Attenuation Filter Parameters Stereo Audio Circuits X-Y Graphi
pdf
AON7528 Freescale
Freescale

30V N-Channel AlphaMOS

AON7528 30V N-Channel AlphaMOS General Description • Latest Trench Power AlphaMOS ( αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5V GS • Low Gate Charge • ESD protection • RoHS and Halogen-Free Compliant Features VDS ID (at VGS=10V) RDS(ON) (at VGS=10V) RDS(ON) (at VGS
pdf
AON7528 Alpha & Omega Semiconductors
Alpha & Omega Semiconductors

30V N-Channel AlphaMOS

AON7528 30V N-Channel AlphaMOS General Description • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • ESD protection • RoHS and Halogen-Free Compliant Product Summary V DS ID (at VGS=10V) 30V 50A < 2mΩ < 3.4mΩ HB
pdf
BUK7528-100A NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

N-channel TrenchMOS standard level FET

TO -22 0A B BUK7528-100A N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 2 — 26 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This p
pdf
BUK7528-55 NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

TrenchMOS transistor Standard level FET

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS™ transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resista
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты