|
NZT660A даташитФункция этой детали – «PNP Low Saturation Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NZT660A | Fairchild Semiconductor |
PNP Low Saturation Transistor NZT660/NZT660A
July 1998
NZT660 / NZT660A
C E
B
C
SOT-223
PNP Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol VCEO VCBO VEBO IC TJ, Tstg Parameter Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
NZT660/NZT660A 60 80 5 3 -55 to +150
Units V V V A °C
Operating and Storage Junction Temperature R |
Это результат поиска, начинающийся с "660A", "NZT6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5660A | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
1N5660A | Microsemi |
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http://www.microsemi.com
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT |
|
1N5660A | Littelfuse |
Silicon Avalanche Diodes Silicon Avalanche Diodes
1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N56 Series
FEATURES
• Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance •100% surge test |
|
1N5660A | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 111V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
|
1N5660A | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
1500W Unipolar TVS Diode SENSITRON ___ SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA DATA SHEET 5501, REV. -
1N5555, 1N5556, 1N5557, 1N5635A thru 1N5661A
Standard 1500W Transient Voltage
Suppressor Diodes
AVAILABLE AS 1N, JAN, JANTX, JANTXV
JAN EQUIVALENT* SJ*, SX*, SV*
1500W Unipolar TVS Diode
Qualified per MIL-PRF-19 |
|
1N660A | New Jersey Semiconductor |
DIODE 0.5A 2DIE |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |