|
OA5612 даташитФункция этой детали – «(oa5611 / Oa5612) Relais De Securite». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
OA5612 | ETC |
(OA5611 / OA5612) Relais de SECURITE Relais de sécurité
OA 5611, OA 5612
• Construit d'après EN 50 205, IEC/EN 60 255, IEC 60 664-1 • Avec contacts guidés • Consomation nominale faible • Longue durée de vie mécanique • Haute fiablilité de commutation grâce aux contacts à couronnes à grands mouvements relatifs. • Faible encombrement • Agréments TÜV, UL, CSA
Applications: Appareils de commutaiton pour Modules de technique de sécurité Escaliers roulants et tapis roulants Ascenceurs pour personnes et charges Panneaux de signalistat |
Это результат поиска, начинающийся с "5612", "OA5" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5612 | Microsemi |
Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors 1N5610 thru 1N5613
Available on commercial
versions
Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors
Qualified per MIL-PRF-19500/434
DESCRIPTION
This series of industry recognized voidless hermetically sealed unidirectional Transient Voltage Suppresso |
|
1N5612 | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin Case G |
|
2N5612 | SavantIC |
(2N5606 - 2N5612) Silicon NPN Power Transistors SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2N5606 2N5608 2N5610 2N5612
DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general-purpose amplifier ; and sw |
|
2N5612 | Seme LAB |
Bipolar NPN Device 2N5612
Dimensions in mm (inches).
3.68 (0.145) rad.
max.
3.61 (0.142) 4.08(0.161)
rad.
12
6.35 (0.250) 8.64 (0.340)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
Metal Package.
Bipolar NPN Device. VCEO = 100V IC = 5A
24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 14.48 (0.570) 14.99 (0.590 |
|
2N5612A | SavantIC |
Silicon NPN Power Transistors SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2N5612A
DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general-purpose amplifier ; and switching applications |
|
2SC5612 | Toshiba Semiconductor |
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR 2SC5612
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5612
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV
l High Voltage l Low Saturation Voltage l High Speed
: VCBO = 2000 V : VCE (sat) = 3 V (Max.) : tf = 0.15µs (Typ.)
Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARA |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |