DataSheet26.com


OA5612 даташит

Функция этой детали – «(oa5611 / Oa5612) Relais De Securite».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
OA5612 ETC
ETC
  (OA5611 / OA5612) Relais de SECURITE

Relais de sécurité OA 5611, OA 5612 • Construit d'après EN 50 205, IEC/EN 60 255, IEC 60 664-1 • Avec contacts guidés • Consomation nominale faible • Longue durée de vie mécanique • Haute fiablilité de commutation grâce aux contacts à couronnes à grands mouvements relatifs. • Faible encombrement • Agréments TÜV, UL, CSA Applications: Appareils de commutaiton pour Modules de technique de sécurité Escaliers roulants et tapis roulants Ascenceurs pour personnes et charges Panneaux de signalistat
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5612", "OA5"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5612 Microsemi
Microsemi

Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors

1N5610 thru 1N5613 Available on commercial versions Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors Qualified per MIL-PRF-19500/434 DESCRIPTION This series of industry recognized voidless hermetically sealed unidirectional Transient Voltage Suppresso
pdf
1N5612 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin Case G

pdf
2N5612 SavantIC
SavantIC

(2N5606 - 2N5612) Silicon NPN Power Transistors

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5606 2N5608 2N5610 2N5612 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general-purpose amplifier ; and sw
pdf
2N5612 Seme LAB
Seme LAB

Bipolar NPN Device

2N5612 Dimensions in mm (inches). 3.68 (0.145) rad. max. 3.61 (0.142) 4.08(0.161) rad. 12 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 100V IC = 5A 24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 14.48 (0.570) 14.99 (0.590
pdf
2N5612A SavantIC
SavantIC

Silicon NPN Power Transistors

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5612A DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general-purpose amplifier ; and switching applications
pdf
2SC5612 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR

2SC5612 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5612 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV l High Voltage l Low Saturation Voltage l High Speed : VCBO = 2000 V : VCE (sat) = 3 V (Max.) : tf = 0.15µs (Typ.) Unit: mm MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C) CHARA
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты