DataSheet26.com


U10FWJ2C48M даташит

Функция этой детали – «Schottky Barrier Rectifier Stack (low Forward Voltage Schottky».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
U10FWJ2C48M Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER STACK (LOW FORWARD VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION CONVERTER & CHOPPER APPLICATION)

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "10FWJ2C48M", "U10FWJ2C"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
10FWJ2C48M Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER STACK (LOW FORWARD VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION CONVERTER & CHOPPER APPLICATION)

pdf
IS61WV10248ALL ISSI
ISSI

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61WV10248ALL IS61WV10248BLL IS64WV10248BLL 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM JUNE 2008 FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansio
pdf
IS61WV10248BLL ISSI
ISSI

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61WV10248ALL IS61WV10248BLL IS64WV10248BLL 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM JUNE 2008 FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansio
pdf
IS61WV10248EDBLL ISSI
ISSI

1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

IS61WV10248EDBLL IS64WV10248EDBLL 1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC FEBRUARY 2013 FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity �
pdf
IS62WV10248BLL Integrated Silicon Solution
Integrated Silicon Solution

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IS62WV10248BLL ISSI MARCH 2006 ® 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 55ns, 70ns • CMOS low power operation: 36 mW (typical) operating 12 µW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels
pdf
IS62WV10248DALL ISSI
ISSI

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IS62WV10248DALL/BLL IS65WV10248DALL/BLL 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM MA Y 2009 FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – 30 mW (typical) operating – 12 µW (typical) CMOS standby • TTL compatible inter
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты