|
X28C512TMB-25 даташитФункция этой детали – «5 Volt/ Byte Alterable E2prom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
X28C512TMB-25 | Xicor |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28C512/X28C513 512K
X28C512/X28C513
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES
•
• •
• • • • •
Access Time: 90ns Simple Byte and Page Write —Single 5V Supply — No External High Voltages or VPP Control Circuits —Self-Timed —No Erase Before Write —No Complex Programming Algorithms —No Overerase Problem Low Power CMOS: —Active: 50mA —Standby: 500µA Software Data Protection —Protects Data Against System Level Inadvertant Writes High Speed Page Write Capability Highly Reliab |
Это результат поиска, начинающийся с "28C512TMB", "X28C512TMB" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
X28C512TMB-12 | Xicor |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28C512/X28C513 512K
X28C512/X28C513
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES
•
• •
• • • • •
Access Time: 90ns Simple Byte and Page Write —Single 5V Supply — No External High Voltages or VPP Control Circuits —Self-Timed —No Erase Before W |
|
X28C512TMB-15 | Xicor |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28C512/X28C513 512K
X28C512/X28C513
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES
•
• •
• • • • •
Access Time: 90ns Simple Byte and Page Write —Single 5V Supply — No External High Voltages or VPP Control Circuits —Self-Timed —No Erase Before W |
|
X28C512TMB-20 | Xicor |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28C512/X28C513 512K
X28C512/X28C513
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES
•
• •
• • • • •
Access Time: 90ns Simple Byte and Page Write —Single 5V Supply — No External High Voltages or VPP Control Circuits —Self-Timed —No Erase Before W |
|
X28C512TMB-90 | Xicor |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28C512/X28C513 512K
X28C512/X28C513
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES
•
• •
• • • • •
Access Time: 90ns Simple Byte and Page Write —Single 5V Supply — No External High Voltages or VPP Control Circuits —Self-Timed —No Erase Before W |
|
628512LP | Hitachi |
HM628512LP HM628512 Series
524288-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM
ADE-203-236F (Z) Rev. 6.0 Jun. 9, 1995
Description
The Hitachi HM628512 is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes igher density, higher performance and low power consumpt |
|
DVTR28512T | Delta Electronics |
HIGH RELIABILITY HYBRID DC-DC CONVERTERS DVTR2800T Series
HIGH RELIABILITY HYBRID DC-DC CONVERTERS
DESCRIPTION
The DVTR series of high reliability DC-DC converters is operable over the full military (-55 °C to +125 °C) temperature range with no power derating. Unique to the DVTR series is a fault t |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |