|
X28HT512K-25 даташитФункция этой детали – «High Temperature/ 5 Volt/ Byte Alterable E2prom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
X28HT512K-25 | Xicor |
High Temperature/ 5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28HT512 512K
X28HT512
High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES • 175°C Full Functionality
DESCRIPTION
The X28HT512 is an 64K x 8 CMOS E2PROM, fabricated with Xicor’s proprietary, high performance, floating gate CMOS technology which provides Xicor products superior high temperature performance characteristics. Like all Xicor programmable nonvolatile memories the X28HT512 is a 5V only device. The X28HT512 features the JEDEC approved pinout for bytewide memories, compatible with indus |
Это результат поиска, начинающийся с "28HT512K", "X28HT512K" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
X28HT512K-20 | Xicor |
High Temperature/ 5 Volt/ Byte Alterable E2PROM X28HT512 512K
X28HT512
High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM
64K x 8 Bit
FEATURES • 175°C Full Functionality
DESCRIPTION
The X28HT512 is an 64K x 8 CMOS E2PROM, fabricated with Xicor’s proprietary, high performance, floating gate CMOS technology which provides |
|
628512LP | Hitachi |
HM628512LP HM628512 Series
524288-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM
ADE-203-236F (Z) Rev. 6.0 Jun. 9, 1995
Description
The Hitachi HM628512 is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes igher density, higher performance and low power consumpt |
|
DVTR28512T | Delta Electronics |
HIGH RELIABILITY HYBRID DC-DC CONVERTERS DVTR2800T Series
HIGH RELIABILITY HYBRID DC-DC CONVERTERS
DESCRIPTION
The DVTR series of high reliability DC-DC converters is operable over the full military (-55 °C to +125 °C) temperature range with no power derating. Unique to the DVTR series is a fault t |
|
HM628512 | Hitachi Semiconductor |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) HM628512B Series
4 M SRAM (512-kword × 8-bit)
ADE-203-903D (Z) Rev. 3.0 Aug. 24, 1999 Description
The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS pr |
|
HM628512A | Hitachi Semiconductor |
4M SRAM (512 KWORD X 8 BIT) |
|
HM628512AI | Hitachi Semiconductor |
524288 x 8-Bit High Speed CMOS SRAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |