|
XBRP400100CTL даташитФункция этой детали – «Schottky Barrier Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XBRP400100CTL | Motorola Semiconductors |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by XBRP400100CTL/D
Product Preview
SWITCHMODE™ Schottky Power Rectifier
POWERTAP II™ Package
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diode and polarity protection diodes. • Highly Stable Oxide Passiv |
Это результат поиска, начинающийся с "400100CTL", "XBRP400100" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MBRP400100CTL | Motorola Semiconductors |
POWERTAP II SWITCHMODE Power Rectifier MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MBRP400100CTL/D
Advance Information POWERTAP II™
SWITCHMODE™ Power Rectifier
. . . using the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state–of–the–art devices have the following feat |
|
CPT400100 | Microsemi Corporation |
Schottky PowerMod |
|
MBR400100 | Micro Commercial Components |
400 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier MCC
Features
• • • •
omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $
% !"#
MBR40020CT THRU MBR300100CT
400 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts FULL PACK
Metal of siliconrectifier, majonty carrier c |
|
MBR400100CT | Micro Commercial Components |
400 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier MCC
Features
• • • •
omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $
% !"#
MBR40020CT THRU MBR300100CT
400 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts FULL PACK
Metal of siliconrectifier, majonty carrier c |
|
MBR400100CT | Naina Semiconductor |
(MBR40045CT - MBR400100CTR) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Features
• • • • Guard Ring Protection Low forward voltage drop High surge current capability Up to 100V VRRM
MBR40045CT thru MBR400100CTR
Silicon Schottky Diode, 400A
TWIN TOWER PACKAGE
Maximum Ratings (TJ = 25oC unless otherwise specified) P |
|
MBR400100CT | America Semiconductor |
(MBR40045CT - MBR400100CTR) Silicon Power Schottky Diode Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |