DataSheet26.com


XC5210-5BG225C даташит

Функция этой детали – «Field Programmable Gate Arrays».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XC5210-5BG225C Xilinx
Xilinx
  Field Programmable Gate Arrays

0 R XC5200 Series Field Programmable Gate Arrays 0 7* November 5, 1998 (Version 5.2) Product Specification Footprint compatibility in common packages within the XC5200 Series and with the XC4000 Series - Over 150 device/package combinations, including advanced BGA, TQ, and VQ packaging available Fully Supported by Xilinx Development System - Automatic place and route software - Wide selection of PC and Workstation platforms - Over 100 3rd-party Alliance interfaces - Supported by shrink-wrap Foundation software Feat
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5210", "XC5210-5BG2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
103H5210 Sanyo
Sanyo

2-phase Stepping Motor

pdf
103H5210-xxxx Sanyo
Sanyo

2-phase Stepping Motor

pdf
2N5210 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

pdf
2N5210 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

NPN General Purpose Amplifier

2N5210 Discrete POWER & Signal Technologies 2N5210 C BE TO-92 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteris
pdf
2N5210 ON Semiconductor
ON Semiconductor

Amplifier Transistors(NPN Silicon)

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N5209/D Amplifier Transistors NPN Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 2N5209 2N5210 1 2 3 MAXIMUM RATINGS Rating Collector – Emitter Voltage Collector – Base Voltage Emitter – Base Voltage Collector Curren
pdf
2N5210 Micro Electronics
Micro Electronics

NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты