|
XC5210-5BG225C даташитФункция этой детали – «Field Programmable Gate Arrays». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XC5210-5BG225C | Xilinx |
Field Programmable Gate Arrays 0
R
XC5200 Series Field Programmable Gate Arrays
0 7*
November 5, 1998 (Version 5.2)
Product Specification Footprint compatibility in common packages within the XC5200 Series and with the XC4000 Series - Over 150 device/package combinations, including advanced BGA, TQ, and VQ packaging available Fully Supported by Xilinx Development System - Automatic place and route software - Wide selection of PC and Workstation platforms - Over 100 3rd-party Alliance interfaces - Supported by shrink-wrap Foundation software
Feat |
Это результат поиска, начинающийся с "5210", "XC5210-5BG2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
103H5210 | Sanyo |
2-phase Stepping Motor |
|
103H5210-xxxx | Sanyo |
2-phase Stepping Motor |
|
2N5210 | Samsung semiconductor |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
2N5210 | Fairchild Semiconductor |
NPN General Purpose Amplifier 2N5210
Discrete POWER & Signal Technologies
2N5210
C
BE
TO-92
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteris |
|
2N5210 | ON Semiconductor |
Amplifier Transistors(NPN Silicon) MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by 2N5209/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER
2N5209 2N5210
1 2 3
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector – Emitter Voltage Collector – Base Voltage Emitter – Base Voltage Collector Curren |
|
2N5210 | Micro Electronics |
NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |