|
XM28C020MHR-12 даташитФункция этой детали – «5 Volt/ Byte Alterable E2prom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XM28C020MHR-12 | Xicor Inc. |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM XM28C020 2 Megabit Module
XM28C020
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
DESCRIPTION
256K x 8 Bit
TYPICAL FEATURES
• • • • •
• • •
• •
High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pinout conforms to JEDEC Standard for 2 Megabit E2PROM Fast Write Cycle Times —128 Byte Page Write —Byte or Page Write Cycle: 5ms Typical —Complete Memory Rewrite: 10 Seconds Early End of Write Detection —DATA Polling —Toggle Bit Polling S |
Это результат поиска, начинающийся с "28C020MHR", "XM28C020MHR" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XM28C020MHR-15 | Xicor Inc. |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM XM28C020 2 Megabit Module
XM28C020
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
DESCRIPTION
256K x 8 Bit
TYPICAL FEATURES
• • • • •
• • •
• •
High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pino |
|
XM28C020MHR-20 | Xicor Inc. |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM XM28C020 2 Megabit Module
XM28C020
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
DESCRIPTION
256K x 8 Bit
TYPICAL FEATURES
• • • • •
• • •
• •
High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pino |
|
XM28C020MHR-25 | Xicor Inc. |
5 Volt/ Byte Alterable E2PROM XM28C020 2 Megabit Module
XM28C020
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
DESCRIPTION
256K x 8 Bit
TYPICAL FEATURES
• • • • •
• • •
• •
High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pino |
|
HYM328020GD- | Siemens |
8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE 8M × 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE
HYM 328020GD-50/-60
Preliminary Information
• •
8 388 608 words by 32-bit organization Fast access and cycle time 50 ns access time 95 ns cycle time (-50 version) 60 ns access time 110 ns cycle time (-60 version) |
|
HYM328020S | Siemens |
8M x 32-Bit Dynamic RAM Module 8M × 32-Bit Dynamic RAM Module
HYM 328020S/GS-50/-60
•
SIMM modules with 8 388 608 words by 32-bit organization for PC main memory applications Fast access and cycle time 50 ns access time 90 ns cycle time (-50 version) 60 ns access time 110 ns cycle time (-60 version) Fast |
|
HYS64D128020GU-7-A | Infineon |
2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules HYS64/72D64000/128020GU-7/8-A Unbuffered DDR-I SDRAM-Modules
2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules 512 MByte & 1024 MByte Modules PC1600, PC2100 & PC2700 Preliminary datasheet rev. 0.81
• 184-pin Unbuffered 8-Byte Dual-In-Line DDR-I SDRAM non-parity and ECC-Modules for |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |