DataSheet26.com


XM28C020MHR-12 даташит

Функция этой детали – «5 Volt/ Byte Alterable E2prom».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XM28C020MHR-12 Xicor Inc.
Xicor Inc.
  5 Volt/ Byte Alterable E2PROM

XM28C020 2 Megabit Module XM28C020 5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION 256K x 8 Bit TYPICAL FEATURES • • • • • • • • • • High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pinout conforms to JEDEC Standard for 2 Megabit E2PROM Fast Write Cycle Times —128 Byte Page Write —Byte or Page Write Cycle: 5ms Typical —Complete Memory Rewrite: 10 Seconds Early End of Write Detection —DATA Polling —Toggle Bit Polling S
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "28C020MHR", "XM28C020MHR"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
XM28C020MHR-15 Xicor Inc.
Xicor Inc.

5 Volt/ Byte Alterable E2PROM

XM28C020 2 Megabit Module XM28C020 5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION 256K x 8 Bit TYPICAL FEATURES • • • • • • • • • • High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pino
pdf
XM28C020MHR-20 Xicor Inc.
Xicor Inc.

5 Volt/ Byte Alterable E2PROM

XM28C020 2 Megabit Module XM28C020 5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION 256K x 8 Bit TYPICAL FEATURES • • • • • • • • • • High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pino
pdf
XM28C020MHR-25 Xicor Inc.
Xicor Inc.

5 Volt/ Byte Alterable E2PROM

XM28C020 2 Megabit Module XM28C020 5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION 256K x 8 Bit TYPICAL FEATURES • • • • • • • • • • High Density 2 Megabit (256K x 8) Module Access Time of 150ns at –55°C to +125°C Base Memory Component: Xicor X28C513 Pino
pdf
HYM328020GD- Siemens
Siemens

8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE

8M × 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE HYM 328020GD-50/-60 Preliminary Information • • 8 388 608 words by 32-bit organization Fast access and cycle time 50 ns access time 95 ns cycle time (-50 version) 60 ns access time 110 ns cycle time (-60 version)
pdf
HYM328020S Siemens
Siemens

8M x 32-Bit Dynamic RAM Module

8M × 32-Bit Dynamic RAM Module HYM 328020S/GS-50/-60 • SIMM modules with 8 388 608 words by 32-bit organization for PC main memory applications Fast access and cycle time 50 ns access time 90 ns cycle time (-50 version) 60 ns access time 110 ns cycle time (-60 version) Fast
pdf
HYS64D128020GU-7-A Infineon
Infineon

2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules

HYS64/72D64000/128020GU-7/8-A Unbuffered DDR-I SDRAM-Modules 2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules 512 MByte & 1024 MByte Modules PC1600, PC2100 & PC2700 Preliminary datasheet rev. 0.81 • 184-pin Unbuffered 8-Byte Dual-In-Line DDR-I SDRAM non-parity and ECC-Modules for
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты