|
XM28C040PM-15 даташитФункция этой детали – «High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XM28C040PM-15 | Xicor Inc. |
High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array 4 Megabit Puma Module
XM28C040P
512K x 8 Bit
High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
FEATURES • High Density Memory Module —150ns, 200ns, and 250ns Access Times Available —4 Megabit Memory in 1 square inch. • Flexible Multiplane Architecture —Four Separate Chip Selects —32 Separate I/Os • User Configurable I/Os—x8, x16, or x32 • User Configurable Page Size—64 Doublewords, 128 Words, or 256 Bytes —Concurrent Read/Write Operations • Able to Continue Reading During a Nonvola |
Это результат поиска, начинающийся с "28C040PM", "XM28C040PM" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XM28C040PM-20 | Xicor Inc. |
High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array 4 Megabit Puma Module
XM28C040P
512K x 8 Bit
High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
FEATURES • High Density Memory Module —150ns, 200ns, and 250ns Access Times Available —4 Megabit Memory in 1 square inch. • Flexible Multiplane Architecture —Four |
|
XM28C040PM-25 | Xicor Inc. |
High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array 4 Megabit Puma Module
XM28C040P
512K x 8 Bit
High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
FEATURES • High Density Memory Module —150ns, 200ns, and 250ns Access Times Available —4 Megabit Memory in 1 square inch. • Flexible Multiplane Architecture —Four |
|
UPD23C128040BL | NEC |
(UPD23C128040BL / UPD23C128080BL) 128M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
µPD23C128040BL, 23C128080BL
128M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 16M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 8M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE) PAGE ACCESS MODE
Description
The µPD23C128040BL and µPD23C128080BL are a 134,217,728 bits mask-programmable ROM. The wo |
|
V62C2804096 | Mosel Vitelic Corp |
512K X 8/ CMOS STATIC RAM MOSEL VITELIC
Features
s s s s s s s s
V62C2804096 512K X 8, CMOS STATIC RAM
PRELIMINARY
Description
The V62C2804096 is a very low power CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW CE1, and active HIGH CE2, an active |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |