|
XN01110 даташитФункция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Planer Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XN01110 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP epitaxial planer transistor
Composite Transistors
XN1110
Silicon PNP epitaxial planer transistor
Unit: mm
For switching/digital circuits
2.8 -0.3 0.65±0.15
+0.2 +0.25
1.5 -0.05 5
0.65±0.15 1
0.95
2.9 -0.05
q
q
Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
1.9±0.1
+0.2
4
0.95
3
2 0.3 -0.05 0.4±0.2 0.16 -0.06
+0.1
1.1 -0.1
q
UN1110 × 2 elements
0.8
s Basic Part Number of Element
+0.2
s Absol |
Это результат поиска, начинающийся с "01110", "XN01" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAAM-011100 | MA-COM |
Broadband Variable Gain Amplifier MAAM-011100
Broadband Variable Gain Amplifier (VGA) 400 MHz - 20 GHz
Features
12 dB Gain 50 Ω Input/Output Match over Gain Range 30 dB Gain Control with 0 to -2 V Control +18 dBm Output Power +5 V, -0.5 V DC, 70 mA Lead-Free 1.5 x 1.2 m |
|
MAAM-011101 | MA-COM |
Ultra small Broadband General Purpose Amplifier MAAM-011101
Ultra small Broadband General Purpose Amplifier 4 - 20 GHz
Rev. V1
Features
Gain: 16 dB Flatness: ± 2 dB 50 Ω match in and out P1dB: +18 dBm @ 14 GHz Single DC supply, +5 V to +12 V, 45 mA Lead-Free 1.5 x 1.2 mm 6-Lead T |
|
MAAM-011109 | MA-COM |
Wideband Amplifier MAAM-011109
Wideband Amplifier 10 MHz - 40 GHz
Rev. V2
Features
13 dB Gain 50 Ω Input / Output Match +18 dBm Output Power +5 V DC, 190 mA Lead-Free 5 mm 9-lead LGA Package RoHS* Compliant and 260°C Reflow Compatible
Functional Schematic
VC VDET BC VD |
|
MAAP-011106 | MA-COM |
Power Amplifier MAAP-011106
Power Amplifier, 71 - 86 GHz
Features
4 Stage Power Amplifier for E Band 20 dB Gain 15 dB input and output match 25 dBm saturated output power 30 dBm OIP3 Variable gain with adjustable bias Integrated detector Bare die RoHS* compli |
|
SH2011100YLx-xxx | ABC Taiwan Electronics |
SHIELDED SMD SHIELDED SMD SPECIFICATION FOR APPROVAL
REF : 20070101-A PROD. NAME
PAGE: 1 ABC'S DWG NO. ABC'S ITEM NO. SH2011□□□□L□-□□□
SHIELDED SMD POWER INDUCTOR CONFIGURATION & DIMENSIONS¡G
¢¹¡O
A A F I B C
: 2.60 ±0.20 : 2.60 ±0.20 : 1.10 ±0.10
m/m m/m |
|
XN01112 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP epitaxial planar type For switching/digital circuits
Composite Transistors
XN01112 (XN1112)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
For switching/digital circuits ■ Features
• Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) • Reduction of the mounting a |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |