DataSheet26.com


XN01110 даташит

Функция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Planer Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XN01110 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
  Silicon PNP epitaxial planer transistor

Composite Transistors XN1110 Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit: mm For switching/digital circuits 2.8 -0.3 0.65±0.15 +0.2 +0.25 1.5 -0.05 5 0.65±0.15 1 0.95 2.9 -0.05 q q Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. 1.9±0.1 +0.2 4 0.95 3 2 0.3 -0.05 0.4±0.2 0.16 -0.06 +0.1 1.1 -0.1 q UN1110 × 2 elements 0.8 s Basic Part Number of Element +0.2 s Absol
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "01110", "XN01"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAAM-011100 MA-COM
MA-COM

Broadband Variable Gain Amplifier

MAAM-011100 Broadband Variable Gain Amplifier (VGA) 400 MHz - 20 GHz Features  12 dB Gain  50 Ω Input/Output Match over Gain Range  30 dB Gain Control with 0 to -2 V Control  +18 dBm Output Power  +5 V, -0.5 V DC, 70 mA  Lead-Free 1.5 x 1.2 m
pdf
MAAM-011101 MA-COM
MA-COM

Ultra small Broadband General Purpose Amplifier

MAAM-011101 Ultra small Broadband General Purpose Amplifier 4 - 20 GHz Rev. V1 Features  Gain: 16 dB  Flatness: ± 2 dB  50 Ω match in and out  P1dB: +18 dBm @ 14 GHz  Single DC supply, +5 V to +12 V, 45 mA  Lead-Free 1.5 x 1.2 mm 6-Lead T
pdf
MAAM-011109 MA-COM
MA-COM

Wideband Amplifier

MAAM-011109 Wideband Amplifier 10 MHz - 40 GHz Rev. V2 Features  13 dB Gain  50 Ω Input / Output Match  +18 dBm Output Power  +5 V DC, 190 mA  Lead-Free 5 mm 9-lead LGA Package  RoHS* Compliant and 260°C Reflow Compatible Functional Schematic VC VDET BC VD
pdf
MAAP-011106 MA-COM
MA-COM

Power Amplifier

MAAP-011106 Power Amplifier, 71 - 86 GHz Features  4 Stage Power Amplifier for E Band  20 dB Gain  15 dB input and output match  25 dBm saturated output power  30 dBm OIP3  Variable gain with adjustable bias  Integrated detector  Bare die  RoHS* compli
pdf
SH2011100YLx-xxx ABC Taiwan Electronics
ABC Taiwan Electronics

SHIELDED SMD SHIELDED SMD

SPECIFICATION FOR APPROVAL REF : 20070101-A PROD. NAME PAGE: 1 ABC'S DWG NO. ABC'S ITEM NO. SH2011□□□□L□-□□□ SHIELDED SMD POWER INDUCTOR CONFIGURATION & DIMENSIONS¡G ¢¹¡O A A F I B C : 2.60 ±0.20 : 2.60 ±0.20 : 1.10 ±0.10 m/m m/m
pdf
XN01112 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon PNP epitaxial planar type For switching/digital circuits

Composite Transistors XN01112 (XN1112) Silicon PNP epitaxial planar type Unit: mm For switching/digital circuits ■ Features • Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) • Reduction of the mounting a
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты