DataSheet26.com


XO3082 даташит

Функция этой детали – «Temperature Compensated Crystal Oscillator».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XO3082 MTRONPTI
MTRONPTI
  Temperature Compensated Crystal Oscillator

Model XO3082-000 Temperature Compensated Crystal Oscillator Electrical Specifications Nominal Frequency (FO): 10.0MHz Frequency Stability over Temperature: ±1.0ppm Aging Yearly Aging, <± 1ppm 10-Yearls Aging, < ±4ppm Adjustment Method, External, 0 to 5.0VDC Tuning Range, sufficient for 10-years aging Tuning Slope, negative Output (HCMOS) Duty Cycle, 50%, ± 10% Load, 1 gate or 10pF , maximum SSB Phase Noise (maximum) -90dbc/Hz @ 10Hz offset -125dbc/Hz @ 100Hz offset -135dbc/Hz @ 1kHz offset -145d
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3082", "XO3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N3082 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf
2SK3082 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3082(L),2SK3082(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-637 (Z) 2nd. Edition May 1998 Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.055 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 1 1 2 3 2
pdf
2SK3082L Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3082(L),2SK3082(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-637 (Z) 2nd. Edition May 1998 Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.055 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 1 1 2 3 2
pdf
2SK3082S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3082(L),2SK3082(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-637 (Z) 2nd. Edition May 1998 Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.055 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 1 1 2 3 2
pdf
ADM3082 Analog Devices
Analog Devices

(ADM3082 -ADM3089) Transceivers

PRELIMINARY TECHNICAL DATA a Low-Current (1nA) Shutdown Mode High-Speed (10Mbps), Fail-Safe, RS-485/RS-422 Transceivers with Slew-Rate-Limiting and ±15kV ESD Protection ADM3082/ADM3085/ADM3088 GENERAL DESCRIPTION FEATURES Enhanced Slew Rate Limiting for E
pdf
C30822 PerkinElmer Optoelectronics
PerkinElmer Optoelectronics

(C30807 - C30831) N-Type Silicon PIN Photodetectors

N-Type Silicon PIN Photodetectors C30807, C30808, C30809, C30810, C30822, C30831 EVERYTHING IN A NEW LIGHT. Description This family of N-type silicon p-i-n photodiodes is designed for use in a wide variety of broad band low light level applications covering the spectral range fr
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты