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PDF 2SD2384 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD2384
Descripción Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR
Fabricantes Toshiba Semiconductor　
Logotipo Toshiba Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD2384 Hoja de datos, Descripción, Manual

2SD2384
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor)
2SD2384
Power Amplifier Applications
Unit: mm
· High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min)
· Complementary to 2SB1555
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
140
140
5
7
0.1
100
150
−55 to 150
Equivalent Circuit
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
COLLECTOR
BASE
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
≈ 100 Ω
EMITTER
1 2003-02-04

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD2382Power TransistorSanken electric
Sanken electric
2SD2384Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SD2385Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SD2386Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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