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PDF SFH483E7800 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SFH483E7800 | |
| Descripción | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
ø0.45
2.7
Chip position
14.5 3.6
12.5 3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
1
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem
Wirkungsgrad
q Die Anode ist galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Hohe Zuverlässigkeit
q Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG
q Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Features
q Highly efficient GaAlAs LED
q Anode is electrically connected to the case
q High pulse power
q High reliability
q DIN humidity category in acc. with
DIN 40040 GQG
q Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Anwendungen
q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote controls and sound transmission
q Photointerrupter
Typ
Type
SFH 483 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1090
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (1/10’’)
Semiconductor Group
1
1997-11-01
1 page  
SFH 483
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
100
%
Ι rel
80
OHR00877
60
40
20
Radiant intensity
Ie
Ie 100 mA
=
f
(IF)
Single pulse, tp = 20 µs
10 2
OHR00878
Ιe
Ι e (100mA)
10 1
10 0
10 -1
10 -2
Max. permissible forward current
IF = f (TA), RthJA = 450 k/W
IF = f (TC), RthJC = 160 k/W
240
OHR00946
Ι F mA
200
R thJC = 160 K/W
160
120
R thJA = 450 K/W
80
40
0
750 800 850 900 950 nm 1000
λ
Forward current, IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
10 1
ΙF A
10 0
OHR00881
10 -1
10 -2
10 -3
10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4
ΙF
Permissible pulse handling capability
IF = f (tp), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
10 4 OHR00948
Ι F mA
5
D
=
tp
T
D = 0.005
0.01
0.02
tp
T
ΙF
10 3 0.1
0.05
0.2
5
0.5
0 0 20 40 60 80 ˚C 100
TA,TC
DC
10 -3
0 12 3 4 5 6V 8
VF
10 2
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0
tp
Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 1) Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page.
40 30 20 10 0
OHR01457
ϕ 1.0
50
0.8
60 0.6
70 0.4
80 0.2
90 0
100
1.0 0.8 0.6
0.4
0 20 40 60 80 100 120
Semiconductor Group
5
1997-11-01
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SFH483E7800 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter | Siemens Semiconductor Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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