DataSheet26.com

HSM226S PDF даташит

Спецификация HSM226S изготовлена ​​​​«Renesas Technology» и имеет функцию, называемую «Silicon Schottky Barrier Diode».

Детали детали

Номер произв HSM226S
Описание Silicon Schottky Barrier Diode
Производители Renesas Technology
логотип Renesas Technology логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

HSM226S Даташит, Описание, Даташиты
www.DataSheet4U.com
HSM226S
Silicon Schottky Barrier Diode for
High speed switching
REJ03G0057-0100Z
Rev.1.00
Jan.21.2004
Features
Low reverse current, Low capacitance.
MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSM226S
Laser Mark
S22
Package Code
MPAK
Pin Arrangement
3
21
(Top View)
1. Cathode 2
2. Anode 1
3. Cathode 1
Anode 2
Rev.1.00, Jan.21.2004, page 1 of 4









No Preview Available !

HSM226S Даташит, Описание, Даташиты
HSM226S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Repetitive peak reverse voltage
Non-Repetitive peak forward surge current
forward current
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. 10 ms sine wave 1 pulse
2. Two device total
Symbol
VRRM
IFSM *1 *2
IF *2
Tj
Tstg
Value
25
200
50
125
55 to +125
Unit
V
mA
mA
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Forward voltage
VF1
VF2
  0.33 V
  0.38
IF = 1 mA
IF = 5 mA
Reverse current
IR
Capacitance
C
Note: Per one device
0.45 µA
VR = 20 V
  2.80 pF VR = 1 V, f = 1 MHz
Rev.1.00, Jan.21.2004, page 2 of 4









No Preview Available !

HSM226S Даташит, Описание, Даташиты
HSM226S
Main Characteristic
101
100
10–1
10–2
Ta=75°C
10–3
Ta=25°C
10–4
10–5
10–6
10–7
10–8
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Forward voltage VF (V)
Fig.1 Forward current vs. Forward voltage
f = 1MHz
10
10–4
10–5
10–6
10–7
Pulse test
Ta=75°C
Ta=25°C
10–8
0
10 20 30 40
Reverse voltage VR (V)
Fig.2 Reverse current vs. Reverse voltage
1.0
0.1
0.1 1.0 10
Reverse voltage VR (V)
Fig.3 Capacitance vs. Reverse voltage
Rev.1.00, Jan.21.2004, page 3 of 4










Скачать PDF:

[ HSM226S.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
HSM226SSilicon Schottky Barrier DiodeRenesas Technology
Renesas Technology

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск