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Datasheet EMD4DXV6T1 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Category
1EMD4DXV6T1 Dual Bias Resistor Transistor / NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistor

EMD4DXV6T1, EMD4DXV6T5 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network (3) http://onsemi.com (2) R1 Q1 Q2 R2 (4) R1 (5) (6) R2 (1) The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transis
ON Semiconductor
ON Semiconductor		transistor


EMD Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Catagory
1EMD02N06EField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  3.1mΩ  ID  191A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless 
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
2EMD02N60AField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  5.5Ω  ID    UIS, 100% Tested  2A  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwis
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
3EMD02N60AKField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  5.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
4EMD02N60CSField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  5.5Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
5EMD02N60CSKField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  5.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
6EMD02N60FField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  5.5Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
7EMD02N70CSField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  700V  D RDSON (MAX.)  6Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor



Esta página es del resultado de búsqueda del EMD4DXV6T1. Si pulsa el resultado de búsqueda de EMD4DXV6T1 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.


nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

 Sanken
Sanken		 PDF


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