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PDF 2SK3636 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SK3636 | |
| Descripción | Silicon N-channel Power MOSFET | |
| Fabricantes | Guangdong Kexin Industrial | |
| Logotipo |  |
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SMD Type
www.DataSheet4U.com
TransistIoCrs
Silicon N-channel Power MOSFET
2SK3636
Features
Avalanche energy capacity guaranteed: EAS 20 mJ
Gate-source surrender voltage VGSS = 30 V guaranteed
High-speed switching: tf = 50 ns
No secondary breakdown
TO-263
+0.2
4.57+0.1 -0.2
1.27-0.1
Unit: mm
1.27+0.1
-0.1
0.1max
2.54 5.08+0.2
-0.2 +0.1
-0.1
0.81+0.1
-0.1
2.54
0.4+0.2
-0.2
1 Gate
2 Drain
3 Source
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Drain-source surrender voltage
Gate-source surrender voltage
Drain current
Peak drain current
Avalanche energy capability
Power dissipation Ta = 25
Power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
EAS
PD
Tch
Tstg
Rating
800
30
3
6
20
2
35
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
mJ
W
www.kexin.com.cn 1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SK363 | Silicon N Channel Junction Type Transistor |  Toshiba Semiconductor |
| 2SK3633 | Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications | Toshiba Semiconductor |
| 2SK3634 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |  NEC |
| 2SK3634 | MOS Field Effect Transistor | Guangdong Kexin Industrial |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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