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Número de pieza | CES2362 | |
Descripción | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
Fabricantes | Chino-Excel Technology | |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
60V, 3A, RDS(ON) = 80mΩ @VGS = 10V.
RDS(ON) = 100mΩ @VGS = 4.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Lead free product is acquired.
SOT-23 package.
D
DS
G
SOT-23
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS 60
VGS ±20
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
ID 3
IDM 12
Maximum Power Dissipation
PD 1.25
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
100
Units
V
V
A
A
W
C
Units
C/W
www.DataSheet4U.com
Details are subject to change without notice .
1
Rev 3. 2010.Dec
http://www.cetsemi.com
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet CES2362.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
CES2362 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Chino-Excel Technology |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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