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PDF BSC077N12NS3G Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSC077N12NS3G | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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BSC077N12NS3G
MOSFET
OptiMOSTM3Power-Transistor,120V
Features
•N-channel,normallevel
•ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)
•Verylowon-resistanceRDS(on)
•150°Coperatingtemperature
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS 120 V
RDS(on),max
7.7
mΩ
ID 98 A
SuperSO8
8 7 65
56 78
1
23
4
4321
S1 8D
S2 7D
S3 6D
G4 5D
Type/OrderingCode
BSC077N12NS3 G
Package
PG-TDSON-8
Marking
077N12NS
RelatedLinks
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1) J-STD20 and JESD22
Final Data Sheet
1
Rev.2.8,2015-12-15
1 page  
OptiMOSTM3Power-Transistor,120V
BSC077N12NS3G
Table7Reversediode
Parameter
Diode continous forward current
Diode pulse current
Diode forward voltage
Reverse recovery time1)
Reverse recovery charge1)
Symbol
IS
IS,pulse
VSD
trr
Qrr
Min.
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
- 98
- 392
0.9 1.2
98 -
264 -
Unit Note/TestCondition
A TC=25°C
A TC=25°C
V VGS=0V,IF=50A,Tj=25°C
ns VR=60V,IF=25,diF/dt=100A/µs
nC VR=60V,IF=25,diF/dt=100A/µs
1) Defined by design. Not subject to production test.
Final Data Sheet
5
Rev.2.8,2015-12-15
5 Page 
OptiMOSTM3Power-Transistor,120V
BSC077N12NS3G
Dimension in mm
Figure2OutlineTDSON-8Tape
Final Data Sheet
11
Rev.2.8,2015-12-15
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSC077N12NS3G | MOSFET ( Transistor ) | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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