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Número de pieza | GT15J121 | |
Descripción | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT | |
Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
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GT15J121
Preliminary TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT15J121
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
● The 4th generation
● Enhancement-mode
● Ultra Fast Switching(UFS :Operating frequency up to 150kHz(Reference)
● High speed
:tr=0.03μs(typ.)
:tf=0.08μs(typ.)
● Low switching loss
:Eon=0.23mJ(typ.)
:Eoff=0.18mJ(typ.)
Maximum Ratings (Ta=25℃)
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
1ms
Collector power dissipation
(Tc=25℃)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Ratings
600
±20
15
45
35
150
-55~150
Unit
V
V
A
W
℃
℃
2001-7- 1/2
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PDF Descargar | [ Datasheet GT15J121.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
GT15J121 | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT | Toshiba Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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