DataSheet26.com

2SA1306B PDF даташит

Спецификация 2SA1306B изготовлена ​​​​«INCHANGE» и имеет функцию, называемую «Silicon PNP Power Transistors».

Детали детали

Номер произв 2SA1306B
Описание Silicon PNP Power Transistors
Производители INCHANGE
логотип INCHANGE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

2SA1306B Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistors
DESCRIPTION
·Good Linearity of hFE
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306
= -180V(Min)-2SA1306A
= -200V(Min)-2SA1306B
·Complement to Type 2SC3298/A/B
APPLICATIONS
·Power amplifier applications.
·Driver stage amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base
Voltage
2SA1306
2SA1306A
2SA1306B
-160
-180
-200
V
VCEO
Collector-Emitter
Voltage
2SA1306
2SA1306A
2SA1306B
-160
-180
-200
V
VEBO Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
IBB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
-5 V
-1.5 A
-0.15
A
20 W
150
-55~150
isc Product Specification
2SA1306/A/B
isc Websitewww.iscsemi.cn









No Preview Available !

2SA1306B Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistors
isc Product Specification
2SA1306/A/B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
2SA1306
V(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
2SA1306A IC= -10mA; IB= 0
2SA1306B
-160
-180
-200
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -500mA; IB= -50mA
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
IC= -500mA; VCE= -5V
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= -160V; IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= -5V; IC=0
-1.5 V
-1.0 V
-1.0 μA
-1.0 μA
hFE DC Current Gain
IC= -100mA ; VCE= -5V
fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -100mA ; VCE= -10V
COB Output Capacitance
IE= 0 ; VCB= -10V;ftest= 1.0MHz
70 240
100 MHz
30 pF
‹ hFE Classifications
OY
70-140 120-240
isc Websitewww.iscsemi.cn
2










Скачать PDF:

[ 2SA1306B.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SA1306PNP TransistorToshiba
Toshiba
2SA1306SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1306Silicon PNP Power TransistorsINCHANGE
INCHANGE
2SA1306APNP TransistorToshiba
Toshiba

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск