10NM60N Datasheet

( характеристики, распиновка, схема подключения )

Показать результаты поиска

Загрузить 10NM60N.PDF

10NM60N - STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 Ω , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh™ II Power MOSFET Features Order codes STD10NM60N STF10NM60N STP10NM60N STU10NM60N - - - VDSS @TJmax RDS(on) max. ID Pw 70 W 1 3 2 1 3 2 650 V < 0.55 Ω 10 A 25 W 70 W TO-220

STMicroelectronics

10NM60N - Power MOSFET ( Transistor )

STD10NM60N, STF10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 Ω typ., 10 A MDmesh™ II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data 7$% DPAK 7$% TO-220 TO-220FP 7$% IPAK Features Order code VDS @TJ max. STD10NM60N STF10NM60N STP10

STMicroelectronics

10N03L - IPP10N03L

Infineon Technologies AG

10N120BND - HGTG10N120BND

Fairchild Semiconductor

10N15 - N-CHANNEL POWER MOSFET

Unisonic Technologies

10N20 - FQB10N20

Fairchild Semiconductor

10N20C - FQP10N20C

Fairchild Semiconductor

Последние обновления

наименование	Производители
2N3904	Unisonic Technologies
Описание
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

наименование	Производители
NE555	ST Microelectronics
Описание
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты