|
LS833 Datasheet( характеристики, распиновка, схема подключения ) |
Показать результаты поиска |
PDF and Buy Now
- LS833 - ULTRA LOW LEAKAGE LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET
LS830 LS831 LS832 LS833 Linear Integrated Systems FEATURES ULTRA LOW DRIFT ULTRA LOW LEAKAGE LOW NOISE LOW CAPACITANCE | VGS1-2 , T|= 5 V, °C max. IG = 80fA TYP. en= 70nV, √H- TYP. CISS= 3pf MAX. ULTRA LOW LEAKAGE LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS NOTE 1 @ 25°C
Linear Integrated Systems - LS833 - Low Leakage
LS833 MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET Linear Systems Ultra Low Leakage Low Drift Monolithic Dual JFET The LS833 is a high-performance monolithic dual JFET featuring extremely low noise, tight offset voltage and low drift over temperature specifications, and is targeted for use in a wide range of pre
Micross
- LS80C52 - (LS80C5x) CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
Intel Corporation - LS80C54 - (LS80C5x) CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
Intel Corporation - LS80C58 - (LS80C5x) CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER
Intel Corporation - lS80C86 - CMOS 16-Bit Microprocessor
Intersil Corporation - lS80C88 - CMOS 8/16-Bit Microprocessor
Intersil Corporation
Последние обновления
| наименование | Производители |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
| Описание | |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| наименование | Производители |
| NE555 |  ST Microelectronics |
| Описание | |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). | |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |