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Datasheet CHK0501 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | CHK0501 | Li-ion battery charging chip 第 1 页 共 7 页
锂电池充电芯片 CHK0501 规格书
一、 锂电池充电要求 充电基本原则 1. 温度不能过高或过低 2. 电池电压不能超过安全值,否则可能发生爆炸或影响寿命 3. 电池电压过低不能进行快速充电,否则有可能损坏电池 锂电池 |  CHK | battery |
| 2 | CHK0501 | Rechargeable lithium-chip IT IT CHK0501 锂电池充电芯片 IT CHK0501 设计规格书
一. 锂电池充电要求 充电基本原则 1. 温度不能过高或过低 2. 电池电压不能超过安全值,否则可能发生爆炸或影响寿命 3. 电池电压过低不能进行快速充电,否则有可能损坏电池 锂电池充 |  Infinitrue | data |
| 3 | CHK0501A | Li-ion battery charging chip 第 1 页 共 7 页
锂电池充电芯片 CHK0501 规格书
一、 锂电池充电要求 充电基本原则 1. 温度不能过高或过低 2. 电池电压不能超过安全值,否则可能发生爆炸或影响寿命 3. 电池电压过低不能进行快速充电,否则有可能损坏电池 锂电池 | CHK | battery |
CHK Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | CHK015A-QIA | 15W Power Packaged Transistor CHK015A-QIA
15W Power Packaged Transistor
GaN HEMT on SiC
Description
The CHK015A-QIA is an unmatched packaged Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. It offers general purpose and broadband solutions for a variety of RF power applications. It is well suited for multi-purpose applicatio  United Monolithic Semiconductors transistor | | |
| 2 | CHK0501 | Li-ion battery charging chip 第 1 页 共 7 页
锂电池充电芯片 CHK0501 规格书
一、 锂电池充电要求 充电基本原则 1. 温度不能过高或过低 2. 电池电压不能超过安全值,否则可能发生爆炸或影响寿命 3. 电池电压过低不能进行快速充电,否则有可能损坏电池 锂电池 CHK battery | | |
| 3 | CHK0501 | Rechargeable lithium-chip IT IT CHK0501 锂电池充电芯片 IT CHK0501 设计规格书
一. 锂电池充电要求 充电基本原则 1. 温度不能过高或过低 2. 电池电压不能超过安全值,否则可能发生爆炸或影响寿命 3. 电池电压过低不能进行快速充电,否则有可能损坏电池 锂电池充 Infinitrue data | | |
| 4 | CHK0501A | Li-ion battery charging chip 第 1 页 共 7 页
锂电池充电芯片 CHK0501 规格书
一、 锂电池充电要求 充电基本原则 1. 温度不能过高或过低 2. 电池电压不能超过安全值,否则可能发生爆炸或影响寿命 3. 电池电压过低不能进行快速充电,否则有可能损坏电池 锂电池 CHK battery | | |
| 5 | CHK8015-99F | 16W Power Transistor CHK8015-99F
16W Power Transistor
GaN HEMT on SiC
Description
The CHK8015-99F is a 16W Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. This product offers a general purpose and broadband solution for a variety of RF power applications.
The circuit is manufactured with a 0.25µm gate length GaN HEM United Monolithic Semiconductors transistor | |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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