|
25P10 Datasheet( характеристики, распиновка, схема подключения ) |
Показать результаты поиска |
Загрузить 25P10.PDF |
- 25P10 - 1 Mbit Low Voltage Paged Flash Memory
M25P10 1 Mbit Low Voltage Paged Flash Memory With 20 MH- Serial SPI Bus Interface PRELIMINARY DATA s 1 Mbit PAGED Flash Memory s 128 BYTE PAGE PROGRAM IN 3 ms TYPICAL s 256 Kbit SECTOR ERASE IN 1 s TYPICAL s BULK ERASE IN 2 s TYPICAL s SINGLE 2.7 V to 3.6 V SUPPLY VOLTAGE s SPI BUS COMPATIBLE SERIA
STMicroelectronics - 25P10A - 1Mb 3V Serial Flash Embedded Memory
M25P10A Serial Flash Embedded Memory Features M25P10A 1Mb 3V Serial Flash Embedded Memory Features SPI bus-compatible serial interface 1Mb Flash memory 50 MH- clock frequency (maximum) 2.3V to 3.6V single supply voltage Page program (up to 256 bytes) in 1.4ms (TYP) Erase capability Sector er
Micron
Последние обновления
| наименование | Производители |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
| Описание | |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| наименование | Производители |
| NE555 |  ST Microelectronics |
| Описание | |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). | |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |