|
2MBI1000VXB-170E-50 Datasheet( характеристики, распиновка, схема подключения ) |
Показать результаты поиска |
PDF and Buy Now
- 2MBI1000VXB-170E-50 - IGBT Module
http:, , www.fujielectric.com, products, semiconductor, 2MBI1000VXB-170E-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1700V , 1000A , 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier U
Fuji Electric - 2MBI1000VXB-170E-50 - Power Devices (IGBT)
6 IGBT V 6th Gen. IGBT Module V-series A compact design allows for greater power output · High performance 6th gen. IGBT, FWD chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C Environmentally friendly modules · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant Turn-on switching characteristics ·
ETC
- 2MBI1000VXB-170E-50 - IGBT Module
Fuji Electric - 2MBI1000VXB-170E-50 - Power Devices (IGBT)
ETC - 2MBI1000VXB-170E-54 - Power Devices (IGBT)
Fuji Electric - 2MBI100F-060 - IGBT-IPM R series
Fuji - 2MBI100F-120 - IGBT MODULE(F series)
Fuji
Последние обновления
| наименование | Производители |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
| Описание | |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| наименование | Производители |
| NE555 |  ST Microelectronics |
| Описание | |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). | |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |