|
IDK03G65C5 Datasheet( характеристики, распиновка, схема подключения ) |
Показать результаты поиска |

PDF and Buy Now
- IDK03G65C5 - Silicon Carbide Diode
SiC Silicon Carbide Diode 5th Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode IDK03G65C5 Final Data Sheet Rev. 2.0, 2013-07-20 Power Management & Multimarket 5th Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode 1 Description ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottk
Infineon
- IDK02G65C5 - Silicon Carbide Diode

Infineon - IDK03G65C5 - Silicon Carbide Diode

Infineon - IDK04G65C5 - Silicon Carbide Diode

Infineon - IDK05G65C5 - Silicon Carbide Diode

Infineon - IDK06G65C5 - Silicon Carbide Diode

Infineon
Последние обновления
| наименование | Производители |
| 2N3904 | Unisonic Technologies |
| Описание | |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| наименование | Производители |
| NE555 | ST Microelectronics |
| Описание | |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). | |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |
