|
ZXMN3A01F Datasheet( характеристики, распиновка, схема подключения ) |
Показать результаты поиска |
Загрузить ZXMN3A01F.PDF |
- ZXMN3A01F - 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=30V; RDS(ON)=0.12 ID=2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency,
Zetex Semiconductors - ZXMN3A01F - 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ADVANCED INFORMATION ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS 30V RDS(ON) 0.12Ω @ VGS = 10V ID TA = +25°C 2.0A Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance
Diodes
- ZXM61P02F - 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Zetex Semiconductors - ZXMN2A04DN8TC - DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Zetex Semiconductors - ZXMN3A01F - 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Zetex Semiconductors - ZXMN3A01F - 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Diodes - ZXMN3A02N8 - 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Zetex Semiconductors
Последние обновления
| наименование | Производители |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
| Описание | |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| наименование | Производители |
| NE555 |  ST Microelectronics |
| Описание | |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). | |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |